ASML正準備新光刻機助力衝擊2nm工藝
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ASML正準備新光刻機助力衝擊2nm工藝,阿斯麥(ASML)最新研發的高數值孔徑極紫外光(high-NA EUV)光刻機,是2nm工藝的關鍵工具,成為三星、臺積電爭奪的焦點。ASML正準備新光刻機助力衝擊2nm工藝。
ASML正準備新光刻機助力衝擊2nm工藝1
對於晶片廠商而言,光刻機顯得至關重要,而ASML也在積極佈局新的技術。據外媒報道稱,截至 2022 年第一季度,ASML已出貨136個EUV系統。
按照官方的說法,新型號的EUV光刻機系統 NXE:3600D將能達到93%的可用性,這將讓其進一步接近DUV光刻機(95%的可用性)。
資料顯示,NXE:3600D系統每小時可生產160個晶圓 (wph),速度為30mJ/cm,這比 NXE:3400C高18%。二正在開發的 NXE:3800E系統最初將以30mJ/cm的速度提供大過195wph的產能,並在吞吐量升級後達到220wph。
據介紹,NXE:3600E 將在像差、重疊和吞吐量方面進行漸進式光學改進,而在0.33 NA的EUV光刻機領域,ASML路線圖包括到2025年左右推出吞吐量約為220wph的NXE:4000F。
對於0.55 NA的光刻機,需要更新的不但是其光刻機系統。同時還需要在光掩模、光刻膠疊層和圖案轉移工藝等方面齊頭並進,才能讓新裝置應用成為可能。
根據ASML 在一季度財務會議上披露的資料,公司的目標是在2022年出貨55臺EUV系統,併到2025年實現(最多)90臺工具的計劃。ASML同時還承認, 90臺可能超過2025年的實際需求,不過他們將其描述為為滿足2030年1萬億美元半導體行業需求所做出的巨大努力。
按照之前的說法,ASML正在研發新款光刻機,價值高達4億美元(約合26億元人民幣),雙層巴士大、重超200噸。原型機預計2023年上半年完工,2025年首次投入使用,2026年到2030年主力出貨。
這款機器應該指的就是High-NA EXE:5200(0.55NA),Intel是全球第一個下單的公司。所謂High-NA也就是高數值孔徑,2nm之後的節點都得依賴它實現。
ASML正準備新光刻機助力衝擊2nm工藝2
當前,全球具備5nm及以下製程晶片製造實力的晶圓製造企業,正在展開一場投資超600億美元、以奈米乃至原子厚度為目標的先進製程競賽。
近期,2nm等先進晶片發展備受行業關注。
6月17日臺積電舉行的技術論壇上,晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)首次披露,到2024年,臺積電將擁有阿斯麥(ASML)最先進的高數值孔徑極紫外(high-NA EUV)光刻機,用於生產奈米片電晶體(GAAFET)架構的2nm(N2)晶片,預計在2025年量產。
與此同時,6月初被美國總統拜登亞洲行接見後,緊接著,韓國三星電子副會長李在鎔又馬不停蹄奔赴歐洲,有報道指三星電子在阿斯麥獲得了十多臺EUV光刻機,並於本週起大規模生產3nm晶片,而2nm將於2025年量產。
儘管量產2nm晶片依然還需時日,但此時此刻,臺積電、三星電子兩家晶片大廠不約而同的尋求下一代EUV光刻機,意味著現在“2nm技術戰”已經打響。
“到了未來的技術節點,間距微縮將減緩,矽電晶體似乎只能安全地微縮至2nm,而在那之後,我們可能就會開始使用石墨烯。”晶片製造的核心軟體EDA巨頭新思科技(Synopsys)研究專家Victor Moroz的這句話道出了2nm技術的重要性:2nm是矽晶片的最後一戰。
阿斯麥(ASML)最新研發的高數值孔徑極紫外光(high-NA EUV)光刻機,是2nm工藝的關鍵工具,成為三星、臺積電爭奪的焦點。
光刻機被譽為“皇冠上的明珠”,其利用特殊的光源和玻璃,將電晶體和設計好的電路圖投射到矽晶片,來繪製晶片電路,其大小相當於一輛公交車,一家先進晶片工廠通常需要9~18臺這樣的裝置。
晶片製造離不開光刻機,且製程越先進,其重要性越凸出,佔晶片製造總成本比例也越高,總體來看,光刻機的成本佔總裝置成本的30%。
沒有EUV光刻機,就無法制造先進製程晶片。而目前EUV光刻孔徑為0.33NA,最多製造3nm晶片。
隨著晶片越來越精密,更高數值的孔徑意味著更小的光線入射角度,也意味著能夠用來製造尺寸更小、速度更快的晶片。如今,三星、臺積電都希望通過獲得下一代EUV光刻機,從而在未來2nm技術競爭上佔據優勢。
最先進的高數值孔徑EUV光刻機,目前只有ASML能夠生產。然而,光刻機裝置開發難度很大,一年只能生產十幾臺。隨著全球晶片短缺,ASML不得不延遲交付,產能有限,廠商們要買到,並不容易。
此次李在鎔到訪歐洲,主要目的之一就是到荷蘭採購ASML下一代EUV光刻機。更早之前,英特爾CEO基辛格為了能追趕臺積電、三星,不止是投資入股阿斯麥公司,還提早花高價訂購EUV光刻機制造產能。
據ASML公佈的資料,新的EXE:5000系列high-NA EUV光刻機,鏡頭數值孔徑從0.33NA變為0.55NA,孔徑大小增加了67%,有望實現8nm的解析度。預計這種裝置非常複雜、非常大且價格昂貴——每臺的成本將超過4億美元。
ASML正準備新光刻機助力衝擊2nm工藝3
據 semiwiki 日前的報道,截至 2022 年第一季度,ASML 已出貨 136 個 EUV 系統,約曝光 7000 萬個晶圓已曝光(如下圖)。
臺積電在早前的技術大會上則表示,在全球已經安裝的 EUV 光刻機系統中,臺積電擁有了其中的 55%。三星的實際控制人李在鎔日前則拜訪了荷蘭總統,以尋找更多的 EUV 供應。
這再次說明,生產先進晶片必不可少的 EUV 成為了全球關注的目標。在日前的一些報道中,我們也看到了 EUV 光刻機的一些路線圖更新。
0.33NA EUV 的新進展
報道中表示, 0.33 NA 的 EUV 系統是當今前沿光刻的主力生產系統。先進的邏輯和 DRAM 都在使用 0.33 NA 的.系統大批量生產。下圖說明了邏輯和 DRAM(條)的 EUV 層數和每年使用 EUV 曝光的晶圓(面積)。
據 ASML 公司的 Mike Lercel 介紹 ,以典型的 5nm 工藝為例,2021 年的邏輯值是 10 層以上 EUV 層,到 2023 年的 3nm 將會有 20 層的 EUV 層,而 DRAM 目前的 EUV 層使用量約為 5 層。
Mike Lercel 還談到了未來 DRAM 曝光的展望,他指出,不就之後 DRAM 上有大約會有 8 個關鍵層,最終其中一些層可能需要多重圖案化,使每個晶圓的 EUV 曝光達到 10 層。
從報道中可以看到,新型號的 EUV 光刻機系統 NXE:3600D 將能達到 93% 的可用性,這將讓其進一步接近 DUV 光刻機(95% 的可用性)。
資料顯示,NXE:3600D 系統每小時可生產 160 個晶圓 ( wph ) ,速度為 30mJ/cm?,這比 NXE:3400C 高 18%。二正在開發的 NXE:3800E 系統最初將以 30mJ/cm? 的速度提供大過 195wph 的產能,並在吞吐量升級後達到 220wph。
據介紹,NXE:3600E 將在像差、重疊和吞吐量方面進行漸進式光學改進。
從 semiwi 的報道中我們可以看到,在 0.33 NA 的 EUV 光刻機領域,ASML 路線圖包括到 2025 年左右推出吞吐量約為 220wph 的 NXE:4000F。按照 EUV 執行副總裁 Christophe Fouquet 在參加高盛虛擬峰會的時候的說法,公司之所以把新裝置稱它為 F,因為 ASML 也希望通過該裝置能顯著提高生產力,這主要歸功於公司希望在該系統的功率上能夠更進一步。
至於產能的增加幅度,Christophe Fouquet 表示,這可能會達到 10% 到 20%,但他們依然還沒有最終確定。不過 ASML 目前計劃在 2025 年左右交付第一個 NXE:4000F 系統。
semiwiki 在文章中表示,對於 0.33 NA 系統,ASML 正致力於通過增加吞吐量和降低總能量來減少每次曝光所需的功耗,而雙重圖案甚至也將成為 0.33NA 光刻機需要發力的一個方面。
如在之前的報道中指出,在發力 0.33 NA 光刻機的時候,ASML 也在加快 0.55 NA 光刻機的進度。而繼英特爾表示將在 2025 年使用上 High-NA 光刻機之後,臺積電在日前也將 High-NA 光刻機的應用時間放在 2024 年。這無疑是大大提升了先進 EUV 光刻機的應用時間。
因為從相關資料可以看到, 0.33 NA 的常規 EUV 光刻機從原型機出貨(2010 年)到量產機出貨(2019 年)用了大約 10 年時間。如果相關報道屬實,那就意味著 0.55 NA 的 high NA EUV 光刻機從原型機出貨(2023 年)到量產機出貨(2026 年)只需要短短的三年。
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